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 磁場感測裝置及方法
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刊登日期：2015/04/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
磁場感測裝置及方法 |
| ‧ 專利證書號 |
CN104678329B
I479171
US9625537 B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2013/11/29)
中國 (2014/10/14)
美國 (2014/11/29)
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| ‧ 發明人/PI |
張慶瑞,張瑞航,
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| ‧ 單位 |
物理學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明提供一種磁場感測裝置及方法，該磁場感測裝置包含：一固定層，具有一第一磁化方向；一分析層，具有一第二磁化方向，其中該第一及該第二磁化方向兩者間呈一角度；以及一磁性感測層，在該分析層與該固定層之間，該磁場感測方法包含：提供具有一第一磁化方向的一固定層；提供具有一第二磁化方向的一分析層，其中該第一及該第二磁化方向兩者間呈一角度；以及在該分析層與該固定層之間提供一磁性感測層。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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