單電橋磁場感測器
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 單電橋磁場感測器
  ‧ 專利證書號 I578008
9,709,640
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中國 (2015/8/31)
中華民國 (2015/8/31)
美國 (2015/8/31)
 
  ‧ 發明人/PI 鄭振宗,張慶瑞,許仁華,呂志誠,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明創作係關於一種單電橋磁場感測器,主要係透過一電橋單元內所包含之第一至第四磁阻元件,再配合切換電路根據所欲量測磁場方向進行電路切換,而改變各磁阻元件、各輸入電壓源、各接地端、及各電壓輸出端之間的電性連接關係,藉此根據各磁阻元件之磁阻值、及各電壓輸出端之輸出電壓值,來得到各軸向之磁場量測值。由於本發明創作僅利用單一電橋單元,便可達到量測各軸向磁場之目的,相較於習用磁場感測器需利用至少三個電橋單元,本發明創作之單電橋磁場感測器可大幅降低整體體積。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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