Single Crystal Perovskite Achieved by atomic Layer Deposition with Post-deposition Annealing
刊登日期:2018/03/16
  ‧ 專利名稱 製造具有鈣鈦礦單晶結構的材料的方法
  ‧ 專利證書號 I714772
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2017/04/14)
中國 (2017/06/01)
中華民國 (2017/06/01)
 
  ‧ 發明人/PI 洪銘輝
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:





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