|
 三維超接面結構與製造方式
|
刊登日期：2022/11/16 |
 |
|
|
|
|
| ‧ 專利名稱 |
具有濃度變化的三維超接面功率半導體 |
| ‧ 專利證書號 |
I787819
|
| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2021/05/14)
|
|
|
| |
| ‧ 發明人/PI |
李坤彥,鄒振東,賴云凱,
|
| ‧ 單位 |
工程科學及海洋工程學系
|
| ‧ 簡歷/Experience |
|
|
| 技術摘要 / Our Technology： |
一種具有濃度變化的三維超接面功率半導體，包含半導體基板，及多個相鄰地設置在半導體基板上的電晶體單元。每一個該電晶體單元包括本體、閘極、二源極、二柱體單元，及電極層。本體包括設置在半導體基板上的第一磊晶層、第二磊晶層，及頂面，第一磊晶層與第二磊晶層具有第一型半導體特性。閘極設置在頂面上。該等源極分別間隔設置在本體內並鄰近位在閘極兩側，每一源極包括位在第二磊晶層中的井區。每一個柱體單元包括由對應的井區往半導體基板方向延伸並具有第二型半導體特性的第一柱體部，及一包埋在第一柱體部內並具有第二型半導體特性的第二柱體部，其中，第一柱體部與該第二柱體部的第二型半導體特性的濃度不同。電極層覆蓋閘極與該等源極。
|
| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
|
| |
聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
|
| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
|
|
| |
|
| |
 |
專利行銷平台