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 針對單晶矽晶圓的表面之倒金字塔結構製絨化方法
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刊登日期：2023/01/16 |
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| ‧ 專利名稱 |
針對單晶矽晶圓的表面之倒金字塔結構製絨化方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I792400
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2021/07/09)
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| ‧ 發明人/PI |
藍崇文
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| ‧ 單位 |
前瞻綠色材料高值化研究中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種針對單晶矽晶圓的表面之倒金字塔結構製絨化方法，首先係去除單晶矽晶圓的表面上之氧化物。接著，本發明之方法係將單晶矽晶圓浸入蝕刻溶液內維持蝕刻溫度與蝕刻時間以進行蝕刻處理致使多個倒金字塔結構以及多個銅奈米顆粒係形成於單晶矽晶圓的表面上，且通入鈍氣氣泡於蝕刻溶液中。蝕刻溶液之成份包含0.02M~0.1M Cu 2+、0.5M~3.5M HF以及0.5M~3M H 2O 2。接著，本發明之方法係去除形成於單晶矽晶圓的表面上之多個銅奈米顆粒。接著，本發明之方法係將單晶矽晶圓進行清洗處理。最後，本發明之方法係乾燥單晶矽晶圓。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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