|
 利用硝酸氧化技術製造金屬氧化層之方法
|
刊登日期：2014/05/21 |
|
|
|
|
|
| ‧ 專利名稱 |
利用硝酸氧化技術製造金屬氧化層之方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I232893
|
| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2003/12/12)
美國 (2004/12/02)
|
|
|
| |
| ‧ 發明人/PI |
胡振國 ,郭智昇 ,黃思維 ,
|
| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
|
| ‧ 簡歷/Experience |
|
|
| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係提供一種利用硝酸氧化技術製造金屬氧化層之方法，其包含下列步驟：a)提供一半導體基板；b)在該半導體基板表面成長一超薄二氧化矽薄膜；c)在該二氧化矽薄膜上沈積一金屬薄膜；d)以硝酸氧化技術將該金屬薄膜氧化成一金屬氧化層；以及e)以高溫退火處理該金屬氧化層。
A method for forming a metal oxide layer by nitric acid oxidation is disclosed. The method includes steps of (a) providing a semiconductor substrate, (b) forming a super-thin silicon dioxide layer on the semiconductor substrate, (c) depositing a metal thin film on the silicon dioxide layer, (d) oxidizing the metal thin film into a metal oxide layer, and (e) annealing the metal oxide layer at high temperature.
|
| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
|
| |
聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
|
| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
|
|
| |
|
| |
 |
專利行銷平台