預錄型氧化鋅式近場光碟片
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 預錄型氧化鋅式近場光碟片
  ‧ 專利證書號 217900
特許4852686
CA2415450
US 7,027,386 B2
DE10261378
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2002/06/03)
日本 (2002/12/26)
加拿大 (2002/12/30)
美國 (2002/12/30)
德國 (2002/12/30)
 
  ‧ 發明人/PI 蔡定平,林宇軒,林威志,張勛豪,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本創作係為一種預錄型氧化鋅式近場光碟片,其結構組成包含一具有凹坑記錄點之透光基板,一反射薄膜層,一可產生侷域近場光學作用之氧化鋅奈米薄膜層,以及保護和維持整體薄膜結構特性之第一、第二透光介電質薄膜層;藉此構成,使可產生侷域近場光學作用之氧化鋅奈米薄膜層,維持在與記錄凹坑訊號的近場光學作用範圍內,配合現有之光碟機讀取機制,來執行超高密度近場光學記錄之功能。




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