一維奈米結構二氧化鈦陣列薄膜製備方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 一維奈米結構二氧化鈦陣列之製造方法
  ‧ 專利證書號 I458548
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/10/09)
 
  ‧ 發明人/PI 施養信,蘇昱帆,
  ‧ 單位 農業化學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明係有關於一種一維奈米結構二氧化鈦陣列之製造方法,包括:(A)提供一基板;(B)提供一鈦前驅溶液,係包括一酸及一鈦前驅物;以及(C)將該基板設置於該前驅溶液中,於一大氣壓下進行反應,使該一維奈米結構二氧化鈦陣列形成於該基板之表面。




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