非磊晶機制成長之硬磁性合金薄膜
刊登日期:2014/06/01
  ‧ 專利名稱 非磊晶機制成長具垂直磁異向性之硬磁性合金薄膜及其製造方法
  ‧ 專利證書號 I440024
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2011/06/01)
 
  ‧ 發明人/PI 張慶瑞,陳勝吉,沈智隆,孫達皇,陳琮達,郭博成,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明係提供一種非磊晶機制成長具垂直磁異向性之硬磁性合金薄膜及其製造方法。該硬磁性合金薄膜包含:一基板;及一硬磁性層,沉積於該基板上,其厚度係介於25~35 nm之間,其中該基板之溫度係大於600℃並對該硬磁性層進行一臨場退火處理。該硬磁性合金薄膜之製造方法其步驟包含:提供一基板;加熱該基板至600℃以上;於該基板上沉積一硬磁性層,其厚度介於25~35 nm之間;及利用該基板對該硬磁性層進行一臨場退火處理,藉以獲得該具有垂直磁異向性之硬磁性合金薄膜。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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