V頻帶射頻端靜電放防護低雜訊放大器
  ‧ 專利名稱 V頻帶射頻端靜電放防護低雜訊放大器
  ‧ 專利證書號 I391031
US 7,952,845 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2009/06/15)
美國 (2009/11/03)
 
  ‧ 發明人/PI 黃柏智,王暉,
  ‧ 單位 電信工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種V頻帶射頻靜電放電防護電路,係利用迂迴電感以及二極體串聯形成一靜電放電防護電路,在低頻時,由射頻墊輸入的靜電可由迂迴電感以及二極體放電至接地或電源電壓端,使中心電路不被靜電放電破壞,而高頻時,則由於迂迴電感所產生的阻抗隔離效果,讓中心電路中的高頻雜散效應大幅降低,使得低雜訊放大器能接收到正確的高頻輸入信號。

A V-band radio frequency (RF) electrostatic discharge (ESD) protection circuit uses meander inductors and diodes connecting in series to provide ESD protection. When operated in low frequency, the static electricity input from a RF pad may discharge to ground or to a voltage VDD through the meander inductor and the diode, so that a core circuit is not damaged by ESD. When operated in high frequency, the high frequency stray effect of the core circuit is substantially reduced due to impedance isolation generated by the meander inductors. Therefore, a low-noised amplifier (LNA) can receive an accurate high frequency input signal.





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