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direct patterned nano-stressor using He beam lithography 刊登日期：2018/02/06
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 107665919B
I763691
10516050B2
11,164,972
11,538,938
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2017/03/09)
中華民國 (2017/07/26)
中國 (2017/07/27)
美國 (2019/12/23)
  ‧ 發明人 林浩雄,
 
技術摘要：
一種半導體元件，包括自基板突出的半導體鰭片、半導體鰭片上方的閘極電極、半導體鰭片與閘極電極之間的閘極絕緣層、半導體鰭片之相對側上設置的源極區域與汲極區域、源極區域與汲極區域之間的區域中所形成之第一應力源。第一應力源包括一種選自由He、Ne及Ga組成之群組的材料。



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聯絡人： 研發處產學合作總中心 電話： (02)3366-9949
地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室
 
 
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