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Controllable multi-layer MoS2 fabricated by repeating chemical vapor deposition growth procedures and its applications in transistors

刊登日期：2019/05/23

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	10403744B2 10-1983876
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2015/06/29) 韓國 (2015/11/23)
‧ 發明人	林時彥,

技術摘要：

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

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