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應用碎形電極提升超級電容儲能效果

刊登日期：2019/12/01

‧ 專利名稱	具碎形幾何圖案之超級電容電極及其製法
‧ 專利證書號	I678715
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2018/12/26)
‧ 發明人	楊燿州, 林正得, 王善,

技術摘要：

一種具碎形幾何圖案之超級電容電極及其製法，超級電容電極包括濾膜、用以儲存電荷或電能之奈米碳管層、及金屬層。奈米碳管層形成於濾膜上，而金屬層形成於奈米碳管層上。奈米碳管層與金屬層均具有互相嵌合之第一碎形幾何圖案與第二碎形幾何圖案，且奈米碳管層或金屬層之第一碎形幾何圖案與第二碎形幾何圖案兩者之間具有間隙而未互相連接或接觸。奈米碳管層與金屬層之第一碎形幾何圖案共同構成第一電極，而奈米碳管層與金屬層之第二碎形幾何圖案共同構成第二電極。據此，本發明可提升電荷或電能之儲存速率或儲存電量。

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