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 S/D stressor of GeSn FETs by selective laser annealing |
刊登日期：2018/06/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
108122754B
I757373
10510888B2
11063149
11791410B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2017/07/07)
中華民國 (2017/11/24)
中國 (2017/11/27)
美國 (2019/11/18)
美國 (2021/07/12)
美國 (2023/07/25)
美國 (2024/07/31)
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| ‧ 發明人 |
劉致為, |
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| 技術摘要： |
製造半導體元件的方法包含形成具有第一元素及第二元素於半導體基材上的合金半導體材料層；形成遮罩於合金半導體材料層上，以提供合金半導體材料層的屏蔽部分及未屏蔽部分；以來自輻射源的輻射照射未被遮罩覆蓋的合金半導體材料層的未屏蔽部分，以轉化合金半導體材料層，致使合金半導體材料層的未屏蔽部分的表面區域具有比合金半導體材料層的未屏蔽部分的內部區域高的第二元素的濃度，其中表面區域覆著內部區域。
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聯繫方式 |
| 聯絡人：
研發處產學合作總中心 |
電話：
(02)3366-9949 |
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| 地 址：
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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