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Derect writing nano-stressor using ion beam with sacrificial layer for throughput improving

刊登日期：2019/07/09

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	10347538B2 10510611B2 10957602B2 10832957B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2017/10/04) 中華民國 (2017/12/04) 中國 (2017/12/06) 美國 (2019/07/03) 美國 (2019/12/12)
‧ 發明人	林浩雄,

技術摘要：

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

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