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發光元件,發光二極體/Light emitting device and light emitting diode

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	發光元件發光二極體
‧ 專利證書號	I382568
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2009/06/16) 美國 (2009/08/19)
‧ 發明人	楊志忠, 盧彥丞, 沈坤慶, 蔡富吉, 王志洋, 林政宏, 呂志鋒, 陳正言, 江衍偉,

技術摘要：

一種發光元件，包括一發光單元和一表面電漿耦合單元，表面電漿耦合單元包括一金屬結構和一中間層，其中間層連接金屬結構和發光單元，中間層在低頻電流係可導電，且在波長100nm~20000nm之發光範圍內具有介電材料之光學特性。

A light-emitting device is disclosed, including a light-emitting element and a surface plasmon coupling element, having an intermediary layer connected to the light-emitting element and a metal structure on the intermediary layer, wherein the intermediary layer is conductive under low-frequency injection current and has the characteristics as dielectric material in a wavelength range 100 nm˜20000 nm.

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