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 改善金屬輔助蝕刻矽奈米結構之密度與均勻度 |
刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
具有矽奈米結構的矽基板與其製造方法及應用 |
| ‧ 專利證書號 |
I472478
8101522
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2010/02/25)
中華民國 (2010/05/14)
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| ‧ 發明人 |
林清富, 許書嘉, |
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| 技術摘要： |
本發明實施例提供一種具矽奈米結構之矽基板的製造方法，包含：提供一矽基板；形成一氧化層在矽基板上；沈浸矽基板於一含氟溶液，含氟溶液包含一金屬離子，所述金屬離子被還原形成複數個金屬奈米結構在矽基板表面；以及浸沒矽基板於一蝕刻溶液，以蝕刻位於所述金屬奈米結構下方的矽，未被蝕刻的矽形成複數個矽奈米結構。
A method for forming a silicon substrate having a multiple silicon nanostructures includes the steps of: providing a silicon substrate; forming an oxidization layer on the silicon substrate; immersing the silicon substrate in a fluoride solution including metal ions, thereby depositing a plurality of metal nanostructures on the silicon substrate; and immersing the silicon substrate in an etching solution to etch the silicon under the metal nanostructures, the unetched silicon forming the silicon nanostructures.
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聯繫方式 |
| 聯絡人：
研發處產學合作總中心 |
電話：
(02)3366-9949 |
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| 地 址：
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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