 技術摘要： |
一種製造半導體元件的方法包括藉由將電漿施加到複數個金屬二硫族化物膜，來電漿蝕刻設置在基板上的複數個金屬二硫族化物膜的一部分，此複數個金屬二硫族化物膜包含金屬和硫族元素的化合物。在電漿蝕刻之後，將硫族元素施加到複數個金屬二硫族化物膜的剩餘部分，以修復電漿蝕刻對複數個金屬二硫族化物膜的剩餘部分的損傷。所述硫族元素是S、Se或Te。
A method of fabricating a semiconductor device includes plasma etching a portion of a plurality of metal dichalcogenide films comprising a compound of a metal and a chalcogen disposed on a substrate by applying a plasma to the plurality of metal dichalcogenide films. After plasma etching, a chalcogen is applied to remaining portions of the plurality of metal dichalcogenide films to repair damage to the remaining portions of the plurality of metal dichalcogenide films from the plasma etching. The chalcogen is S, Se, or Te.
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