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 Planar 2D crystal hetero-structure quantum wells for device applications
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刊登日期：2018/10/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
108630750B
I789380
10784351B2
11211460B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2018/01/11)
中華民國 (2018/03/15)
中國 (2018/03/16)
美國 (2020/09/21)
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| ‧ 發明人/PI |
林時彥
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種具有二維側邊異質結構之半導體裝置的製造方法包含形成第一金屬二硫屬化物膜及第二金屬二硫屬化物膜的交錯區域，其中第一金屬二硫屬化物膜及第二金屬二硫屬化物膜係沿著第一基材之表面延伸。第一金屬二硫屬化物膜及第二金屬二硫屬化物膜為不同的金屬二硫屬化物。每一個第二金屬二硫屬化物膜區域係相鄰於第一金屬二硫屬化物膜之區域的相對側邊。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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