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 利用粗糙絕緣層增強金絕半元件穩定度之方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
利用粗糙絕緣層增強金絕半元件穩定度之方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I262533
6794309
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2002/02/27)
美國 (2002/04/15)
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| ‧ 發明人/PI |
劉致為,袁鋒 ,林崇勳 ,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本案為一種利用粗糙絕緣層以增強金絕半元件(metal-insulator-semiconductor)穩定度的方法，該方法包括下列步驟：提供一半導體基板；於高真空中預烤該半導體基板以形成粗糙表面；及於該半導體表面成長一絕緣層，形成表面及介面之粗糙度；進而增強該絕緣層應用於金絕半元件之穩定度。
A method for utilizing a rough insulator to enhance metal-insulator-semiconductor reliability is provided. The method includes steps of: (a) providing a semiconductor substrate; (b) prebaking the semiconductor substrate under a relatively high vacuum to form a rough surface on the semiconductor substrate; and (c) growing an insulator on the semiconductor substrate to form a rough insulator and increase the metal-insulator-semiconductor reliability when the insulator is applied.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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