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增拉晶體提拉長度與組成均勻性的拉晶方法及裝置

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	增拉晶體長度與組成均勻性的拉晶方法及裝置
‧ 專利證書號	I298752
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2004/08/02) 美國 (2004/09/09)

‧ 發明人/PI	藍崇文,
‧ 單位	化學工程學系
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

本發明提供了一種晶體生長裝置,其包含一第一坩鍋;一第一加熱器,係環設於該第一坩鍋之外圍;一第二坩鍋,其係套設於該第一坩鍋內側;一提拉系統,係用以提拉生長之晶體,使得該生長之晶體於一晶體生長區中生長;以及一推進系統,係用以推進該第一坩鍋。
A crystal growth apparatus and a method for forming a long single crystal with good uniformity are provided. The crystal growth apparatus includes a first crucible, a first heater configured around the first crucible, a second crucible configured inside the first crucible, a pulling system for pulling a crystal, so as to grow the crystal in a crystal growth zone and a moving system for forming a relative movement between the first crucible and the second crucible.

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