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 Area-selective Atomic Layer Deposition
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刊登日期：2021/10/07 |
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| ‧ 專利名稱 |
Area-selective Atomic Layer Deposition |
| ‧ 專利證書號 |
I800797
US11508572B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2020/04/01)
中國 (2021/02/20)
中華民國 (2021/02/22)
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| ‧ 發明人/PI |
陳敏璋
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種方法包括在晶片上形成虛設閘極結構。閘極間隔物形成在虛設閘極結構的任一側上。去除虛設閘極結構以在閘極間隔物之間形成閘極溝槽。在閘極溝槽中形成閘極介電層。在閘極介電層上方形成閘極。形成閘極介電層包括向晶片施加第一偏壓。在第一偏壓開啟的情況下，向晶片提供第一前驅物。關閉第一偏壓。在關閉第一偏壓之後，向晶片提供第二前驅物。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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