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Multi-level memory by MIS tunnel diode coupled with edge-etched high-K gate dielectric
 刊登日期：2021/12/07
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 11574908B2
11195835
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2019/12/26)
中國 (2020/11/20)
中華民國 (2020/11/23)
美國 (2021/12/03)
美國 (2023/02/02)
 
  ‧ 發明人/PI 胡振國
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

聯繫方式 / Contact：
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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