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 矽/鍺異質結構的長波長矽金屬氧化半導體發光元件
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
矽/鍺異質結構的長波長矽金屬氧化半導體發光元件 |
| ‧ 專利證書號 |
I264138
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2005/12/01)
美國 (2006/09/28)
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| ‧ 發明人/PI |
廖洺漢 ,余承曄 ,劉致為 ,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係提出一種具四族異質接面結構之發光元件的製造方法，該方法至少包含下列步驟：(1)提供一矽基板，其具有一第一表面與一第二表面；(2)於該第一表面上形成一薄鍺層；(3)於該薄鍺層上形成一覆蓋層(cap layer)；(4)於該覆蓋層上形成一氧化層；(5)於該氧化層上形成一第一導電層；(6)於該第二表面上形成一第二導電層；以及(7)分別於該第一與該第二導電層上形成一導電接線。利用上述製程所製作出來的金屬氧化物半導體發光二極體具有能釋放出近紅外光波長之特性。
A method for manufacturing an Si MOS LED with IV group heterojunction is provided. The method includes at least the steps of: (1) providing a silicon substrate having a first and a second surface; (2) forming a thin germanium layer on the first surface; (3) forming a cap layer on the thin germanium layer; (4) forming a oxidation layer on the cap layer; (5) forming the first conductive layer on the oxidation layer; (6) forming the second conductive layer on the second surface; and (7) respectively forming a conductive wire on the first and second conductive layer. The Si MOS LED manufactured by the abovementioned steps is characterized in the emission of long wavelength.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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