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低功率之靜態隨機存取記憶體單胞

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	低功率之靜態隨機存取記憶體單胞
‧ 專利證書號	I223813 7345909 B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2003/09/24) 美國 (2004/09/23)

‧ 發明人/PI	張延任,賴飛羆,
‧ 單位	資訊工程學系
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

一種低功率之靜態隨機存取記憶體單胞，包含了二相互交叉對接的第一與第二反相器、至少一讀取電晶體、一寫入電晶體，以及一開關電晶體，每一反相器是由一拉昇電晶體與一拉降電晶體所構成，其間並形成有一節點，該開關電晶體是串接於該第二反相器的拉降電晶體的源極上，以選擇地阻斷該拉降電晶體與一接地線間的電性連接關係。一寫入位元線是連接於該寫入電晶體的一端上，在寫入位元"0"時，由於該寫入位元線毋需充放電，因此可以大幅降低功率消耗，特別是由於該開關電晶體阻斷了第二反相器連接至地的路徑，因此在寫入位元"0"時，更可輕易地將該第二反相器之該節點準位拉昇。

An SRAM memory cell that has a relatively small power consumption when writing a write value of ‘0’ to the memory cell includes cross-coupled first and second inverters, at least one read access transistor for selectively coupling a respective read bit line to a common connection node of a respective one of the first and second inverters, a switching transistor for selectively coupling the second inverter to a ground terminal, and a write access transistor for selectively coupling the common connection node of the second inverter to a write bit line.

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