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氧化物半導體薄膜電晶體
 刊登日期：2014/05/21
  ‧ 專利名稱 氧化物半導體薄膜電晶體
  ‧ 專利證書號 I397184
8053836
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 中華民國 (2009/04/29)
美國 (2009/06/01)
 
  ‧ 發明人/PI 黃建璋,葉永輝,鄭君丞,蕭世驊,劉光中,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

聯繫方式 / Contact：
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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