以溶液製程製作透明氧化鋅/有機絕緣層薄膜電晶體
  ‧ 專利名稱 薄膜電晶體與其製法
  ‧ 專利證書號 I426566
US 8,288,767
  ‧ 專利權人 台灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2009/11/05)
美國 (2010/01/04)
  ‧ 發明人 林清富, 李俊育,
 
技術摘要:
一種薄膜電晶體的製造方法,包含:提供一基板;形成一圖案化的第一導電層於基板上;形成一有機絕緣層於第一導電層與基板上;形成一種子層於有機絕緣層上,上述種子層係作為長晶中心;形成一無機半導體層於種子層上;形成一圖案化的第二導電層於無機半導體層上。

A method for forming a thin-film transistor (TFT) includes providing a substrate, forming a first patterned conducting layer on the substrate, forming an organic dielectric layer on the first patterned conducting layer and the substrate, forming a seeding layer on the organic dielectric layer, using the seeding layer as a crystal growing base to form an inorganic semiconductor layer on the seeding layer, and forming a second patterned conducting layer on the inorganic semiconductor layer.



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