GaN微奈柱陣列之製作及應用技術法
  ‧ 專利名稱 半導體微奈米柱的製作方法與應用
  ‧ 專利證書號 I459460
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2010/11/24)
美國 (2011/03/04)
  ‧ 發明人 林清富,
 
技術摘要:
本發明實施例利用一氧化鋅(ZnO)微奈米柱陣列作為蝕刻遮罩,蝕刻形成氮化鎵(GaN)微奈米柱陣列。所形成氮化鎵微奈米柱的尺寸、位置、高度,將由氧化鋅微奈米柱的尺寸、位置、高度所決定。

An embodiment of this invention utilizes ZnO rods as the etching mask to etch a GaN layer arranged below, so that GaN rods are formed. The GaN rods have similar patterns as the ZnO rods. The pattern, size, position, and height of the GaN rods are respectively controlled by the pattern, size, position, and height of the ZnO rods.



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