於非SOI基板上製作矽波導之方法
  ‧ 專利名稱 於非SOI基板上製作矽波導之方法
  ‧ 專利證書號 US8889017
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2011/10/12)
美國 (2012/04/27)
  ‧ 發明人 林清富, 洪士哲, 許書嘉 ,
 
技術摘要:
本發明提供一種於非絕緣層上覆矽基板(non-silicon-on-insulator substrate)製作矽波導之方法,特別是有關一種使用雷射於矽基板製作矽波導之方法。該方法包含下列步驟:(1)製作一具高高寬比的背脊結構於一非絕緣層上覆矽(non-SOI)基板上;(2)以雷射照射該背脊結構,而將背脊結構融化重整為一上寬下窄之結構;(3)氧化該上寬下窄之結構以形成一矽波導。

The present invention relates to a method for producing silicon waveguides on non-SOI substrate (non-silicon-on-insulator substrate), and particularly relates to a method for producing silicon waveguides on silicon substrate with a laser. This method includes the following steps: (1) forming a ridge structure with high aspect ratio on a non-SOI substrate; (2) melting and reshaping the ridge structure by laser illumination for forming a structure having broad upper part and narrow lower part; and (3) oxidizing the structure having broad upper part and narrow lower part to form a silicon waveguide.



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