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利用n型氧化鋅(n-ZnO)/鋁酸鑭(LaAlO3)/p型矽(p-Si)異質接面做無視可見光之紫外光偵測
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
阻擋可見光之紫外光偵測器及其製造方法 |
‧ 公開號 |
201405851
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2012/07/27)
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‧ 發明人/PI |
何志浩,蔡東昇 ,
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‧ 單位 |
光電工程學研究所
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
本發明揭露一種阻擋可見光之紫外光偵測器及其製造方法,其係於N型氧化鋅層與P型矽層之間設置一鋁酸鑭層,以作為電子阻擋及緩衝層。本發明除了可以抑制可見光與紅外光的響應,更改善了氧化鋅與矽之間晶格不匹配的問題,從而增進紫外光偵測器的訊噪比及N型氧化鋅/P型矽異質接面的品質。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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