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藉由後退火處理調變氮化鎵薄膜應力
 刊登日期：2015/09/10
  ‧ 專利名稱 調變半導體薄膜應力的方法
  ‧ 公開號 TW201535522A
US20150255308A1
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 中華民國 (2014/03/07)
美國 (2014/06/25)
 
  ‧ 發明人/PI 林清富,鄭宇彣,林禹鍾
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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