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 半導體元件及其製作方法
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刊登日期：2016/07/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
半導體元件及其製作方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I540703
9425176
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2014/12/31)
美國 (2014/12/31)
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| ‧ 發明人/PI |
黃建璋,蘇亮宇,王致皓
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| ‧ 單位 |
光電工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種半導體元件包括一基板、一圖案化導電層、一第一電晶體結構以及一第二電晶體結構。圖案化導電層形成於基板上。第一電晶體結構具有一第一源極、一第一閘極及一第一汲極。第一電晶體結構係以覆晶接合的方式電性連接至該圖案化導電層。第二電晶體結構具有一第二源極、一第二閘極及一第二汲極。第二電晶體結構係以覆晶接合的方式電性連接至該圖案化導電層。其中第一閘極經由圖案化導電層電性連接至第二源極，第一源極經由圖案化導電層電性連接至第二汲極。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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