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 高效率無稀土螢光材料及微螢光陣列之應用
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刊登日期：2020/12/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
微發光二極體陣列與其製法 |
| ‧ 專利證書號 |
I712165
11,430,923
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2019/08/06)
美國 (2020/01/07)
德國 (2020/02/10)
美國 (2022/07/13)
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| ‧ 發明人/PI |
林清富,林峻宇,林儀姍,黃容寬,
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| ‧ 單位 |
光電工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明實施例提供一種微發光二極體陣列與其製造方法，其包含基板，在基板上形成磊晶層，以及在磊晶層上形成薄膜轉換層。可透過微影製程(lithography)定義畫素，畫素的尺寸可以非常小。此製造方法的特徵是不需要巨量轉移。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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