高效率無稀土螢光材料及微螢光陣列之應用
刊登日期:2020/12/01
  ‧ 專利名稱 微發光二極體陣列與其製法
  ‧ 專利證書號 I712165
11,430,923
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2019/08/06)
美國 (2020/01/07)
德國 (2020/02/10)
美國 (2022/07/13)
 
  ‧ 發明人/PI 林清富,林峻宇,林儀姍,黃容寬,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明實施例提供一種微發光二極體陣列與其製造方法,其包含基板,在基板上形成磊晶層,以及在磊晶層上形成薄膜轉換層。可透過微影製程(lithography)定義畫素,畫素的尺寸可以非常小。此製造方法的特徵是不需要巨量轉移。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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