Vertical recessed channel for fabricating 3D transistors
刊登日期:2017/04/18
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 9627411B2
9812558B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2015/06/05)
美國 (2017/03/22)
 
  ‧ 發明人/PI 顏智洋,潘正聖,劉致為,葉紘宇,張達志,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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