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Hole spin manipulation in Ge(Sn) devices by electric gating
 刊登日期：2025/03/01
  ‧ 專利名稱 Hole spin manipulation in Ge(Sn) devices by electric gating
  ‧ 專利證書號 I875406
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2023/09/11)
中華民國 (2023/12/25)
中國 (2024/08/14)
 
  ‧ 發明人/PI 李峻霣,吳俞叡,劉家佑,戴嘉澤,李宗穎
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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