調整量子井順序增寬波長可調範圍之半導體雷射及其方法
  ‧ 專利名稱 調整量子井順序增寬波長可調範圍之半導體雷射及其方法
  ‧ 專利證書號 I289961
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2003/06/20)
美國 (2003/12/05)
  ‧ 發明人 林清富 , 蘇益信 ,
 
技術摘要:
本發明係揭露一種調整量子井順序增寬波長可調範圍之半導體雷射及其方法,其係利用載體分佈之均勻度,藉由特定量子井順序,使電洞和電子進入量子井的分佈差異變小,而達到較均勻的載體分佈,讓各個量子井皆獲得載體而提供發光增益,使半導體雷射之波長可調範圍擴充的非常寬;此對於光通訊系統的測試極為方便,亦可直接應用於系統中而取代其他多樣性的元件,以降低系統整合所需之成本者。
The present invention discloses a semiconductor laser to widen the tunable range of wavelength by adjusting the quantum well sequence and the method thereof, which employs the uniformity of carrier distribution and a specific quantum well sequence to reduce the distribution variance of the electrical holes and electrons entering the quantum well, so as to achieve more uniform carrier distribution, thus, each quantum well obtains carriers to provide the light-emitting gain, so that the tunable range of wavelength of the semiconductor laser can be expanded to be very large. Thus, the present invention is convenient for the testing of optical communication system, and can be directly applied in the system to replace other various elements, so as to reduce the cost for system integration.



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