應用聲子輔助光放大技術之半導體雷射元件及其製作方法
  ‧ 專利名稱 應用聲子輔助光放大技術之半導體雷射元件及其製作方法
  ‧ 專利證書號 I268002
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2005/09/02)
美國 (2005/10/31)
  ‧ 發明人 林清富 , 黃礎霆 , 許書嘉 , 林恭安 , 梁奕智 ,
 
技術摘要:
一種應用聲子輔助光放大技術之半導體雷射元件及其製作方法,乃使用導電層於半導體矽基板之上,以電流流通方式進行矽之電激發光,更藉由二氧化矽奈米粒子於導電層與半導體矽基板之間,來形成金屬氧化物半導體接面,並促成載子侷限,使得聲子輔助發光機制得以增強,藉以提高矽的電激發光效率,達到激光的效應。
This invention reveals a semiconductor laser device through the application of phonon-assisted light amplification technique, and its manufacturing method. Firstly, it forms the conductive layer upon the semiconductor silicon substrate. Further, through the current-flowing manner, it performs electroluminescent (EL) light emitting. Furthermore, using of silicon dioxide nano-particles between the conduction layer and the semiconductor silicon substrate, it forms metal-oxide semiconductor junction to achieve carrier confinement. It Moreover, it enhances the phonon-assisted light-emitting mechanism. Eventually, it improves the electroluminescent efficiency of silicon, and achieves the effect of lasing.



聯繫方式
聯絡人: 研發處產學合作總中心 電話: (02)3366-9949
地 址: 10087台北市中正區思源街18號 臺大水源校區思源樓3樓