一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構
  ‧ 專利名稱 一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構
  ‧ 專利證書號 FR2839204
US 6,770,903 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2002/04/26)
德國 (2002/09/20)
美國 (2002/09/23)
英國 (2002/09/23)
法國 (2002/11/29)
日本 (2002/12/27)
  ‧ 發明人 林清富, 林唯芳, 梁逸智, 蘇亭偉,
 
技術摘要:
本發明係有關於一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構,其主要至少係包括:一矽晶片;一奈米結構之氧化層,其係位於該矽晶片之上;及一金屬層,其係位於該氧化層之上;本發明其主要係用一奈米結構之氧化層,造成一不均勻性之穿遂電流,以增加其發光之效率,因其製造方法與目前所使用之製程接近,可以與目前所使用之矽晶片積體電路整合在一起,使得電子晶片與發光元件整合在一起,擴大矽晶片及矽材料之應用範圍,且其製作成本低廉及實用價值高,使該製品具有相當大之競爭力。
A metal-oxide-silicon (MOS) device that at least includes a silicon-based substrate, a nanometer scaled oxide layer formed on the silicon-based substrate and a metal layer formed on the oxide layer, is disclosed. The present invention basically uses a nanometer scaled oxide structure that result in a non-uniform tunneling current to enhance light-emitting efficiency. The manufacturing steps of the MOS device according to the present invention are quite similar to those of conventional MOS device, so the MOS device according to the present invention can be integrated with the current silicon-based integrated circuit chip. Further the application fields of the silicon-based chip and material can be extended. The cost of MOS device can be reduced and its practicality can be increased.




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