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太陽能電池之金屬薄膜電極及其形成方法
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
太陽能電池之金屬薄膜電極及其形成方法 |
‧ 公開號 |
201021222
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2008/11/02)
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‧ 發明人/PI |
陳學禮,莊尚餘,李紋豪,林唯芳,
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‧ 單位 |
材料科學與工程學系
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
本發明揭露一種藉由微影技術(lithography)所製成的太陽能電池之金屬薄膜電極,上述金屬薄膜電極之厚度係能為5nm~500nm,且具有一穿透性孔洞陣列,藉此提高金屬薄膜電極之光穿透率,上述金屬薄膜電極之光穿透率能達40%~90%。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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