利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術
  ‧ 專利名稱 利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術
  ‧ 專利證書號 174586
2823916
US 7,045,812
GB2378318
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2001/04/19)
美國 (2001/10/09)
德國 (2002/03/05)
英國 (2002/03/08)
法國 (2002/04/18)
日本 (2002/04/19)
  ‧ 發明人 林清富, 吳秉叡,
 
技術摘要:
本發明係為一種利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術,該技術利用不同分離侷限異質結構(Separate Confinement Heterostructure,下稱S CH)區域的長度,可製作出由電洞或電子控制二維載子分佈不同寬度的多層量子井結構,使半導體光電元件,具有較佳的溫度特性與較好的調變特性;若是將此技術應用在可調波長半導體雷射之製作上,可使同一半導體雷射元件的波長可調變幅度擴充的非常寬,對於先通訊系統的測試極為方便,也可直接應用於系統中,用以取代其他多樣性的元件,降低系統整合所需的成本者。
The present invention provides a technology for increasing the spectral width of semiconductor optical amplifiers, employing different separate confinement heterostructures (SCH's) so as to form non-identical multiple quantum wells such that the semiconductor photo-electronic devices have better temperature characteristics and more reliable modulation characteristics. If such a technology is used in the fabrication of semiconductor laser with a tunable wavelength, it is possible to achieve a large range of modulated wavelength, which is very useful in optical communication.




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