無碎裂電洞傳導層及其形成方法
  ‧ 專利名稱 無碎裂電洞傳導層及其形成方法
  ‧ 專利證書號 I392698
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/11/28)
  ‧ 發明人 梁文傑, 謝國煌, 林坤榮, 張簡瑛雪, 張進傳,
 
技術摘要:
本發明揭露了一種無碎裂電洞傳導層及其製備方法,首先,利用電聚合程序形成無碎裂第一三苯胺高分子薄膜,接著再次進行電聚合程序形成第二三苯胺薄膜於無碎裂第一三苯胺高分子薄膜之上。其中,以無碎裂第一三苯胺高分子薄膜為底材,促使三苯胺衍生物均勻成核成長,據此製備無碎裂電洞傳導層。此材料可提高發光二極體之亮度、效率和壽命。



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