階段能量式微尺度孔洞結構之製造方法
  ‧ 專利名稱 階段能量式微尺度孔洞結構之製造方法
  ‧ 專利證書號 I351332
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/10/09)
  ‧ 發明人 胡文聰, 陳昌佑, 涂庭源, 鐘德憲,
 
技術摘要:
一種階段能量式微尺度孔洞結構之製造方法,採用兩階段或兩階段以上之雷射脈波作為工作能量源,以在一待加工的板材形成一微尺度孔洞,並且在該微尺度孔洞在靠近板材之第二表面形成回融區段時,可達到精密控制該微尺度孔洞孔徑。先以第一階工作能量源投射向一板材之第一表面之選定鑽孔位置一預定時間後,再以第二階工作能量源投射向該微尺度孔洞。在該微尺度孔洞中靠近該板材之第二表面被該第二階工作能量源融燒而處於熔融態之板材以相反於該第二階工作能量源的入射方向回融,而在該微尺度孔洞中形成一回融區段,並在該板材之第二表面形成一第二開孔區,且在該回融區段與該工作能量源入射區段之交界處形成一貫通區段。



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