低溫製備結晶化陶瓷薄膜之高壓製程
  ‧ 專利名稱 低溫製備結晶化陶瓷薄膜之高壓製程
  ‧ 專利證書號 170962
US6,143,366
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (1998/12/24)
中華民國 (1999/05/03)
  ‧ 發明人 呂宗昕,
 
技術摘要:
本發明係關於利用高壓於氣相中促進陶瓷薄膜結晶化之製程。其係在高壓環境下,陶瓷之非晶質或部份結晶化先驅物薄膜經過高壓之氣相中熱處理後,可在低溫達成薄膜結晶化。本發明有效改善陶瓷薄膜之性質,並減少製程中所耗熱能。藉由結晶化溫度之降低,可減少薄膜與基板於加熱過程中之界面反應,避免陶瓷薄膜成份偏移及薄膜特性改變,本發明亦可減小薄膜之晶粒,因此增加薄膜表面之平坦度;並且因低溫製程可降低一般結晶化過程所需之能量。本發明之方法可應用於製作電子或光電元件上,如動態隨機存取憶體、非揮發隨機存取憶體、積層電容器、致動器、壓電元件、焦電感測器、微機電元件、氣體感測器、光電顯示器、光電開關、非線性光學元件、導電薄膜、及反射或抗反射鍍膜上。




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