混摻異質接面太陽能電池之製程
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/08/19)
  ‧ 發明人 王立義, 張怡鳴,
 
技術摘要:
本發明揭露供一種混摻異質接面(bulk heterojunction)太陽能電池之製程,其包含:提供一陽極基材,形成一光作用層於上述陽極基材上,其中,該光作層包含一電子予體(electron donor)與一電子受體(electron acceptor),並且,形成一陰極基材於該光作用層上,據以形成一混摻異質接面(bulk heterojunction)太陽能電池,接著,進行一電流回火(electric annealing)程序,上述電流回火程序係於混摻異質接面(bulk heterojunction)太陽能電池之電極通入一電流,據此完成太陽能電池製備。



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