一種混摻異質接面太陽能電池之製程
  ‧ 專利名稱 一種混摻異質接面太陽能電池之製程
  ‧ 專利證書號 I357667
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/06/06)
  ‧ 發明人 王立義, 張怡鳴,
 
技術摘要:
本發明揭露一種混掺異質接面(bulk heterojunction)太陽能電池之製程,其包含:提供一陽極基材,並且形成一電洞傳導層於陽極基材上,其次,提供一混合溶液,上述混合溶液包含電子予體(electron donor)、電子受體(electron acceptor)、結晶促進劑與有機溶劑,其中上述結晶促進劑之沸點大於該有機溶劑,而結晶促進劑相對於電子予體之溶解度參數(Solubility parameter)比值係介於1.03~1.4或0.97~0.6之間,接著,進行一塗佈程序,將上述混合溶液塗佈於電洞傳導層上以形成一光作用層,最後,形成一陰極基材於上述光作用層上。



聯繫方式
聯絡人: 研發處產學合作總中心 電話: (02)3366-9949
地 址: 10087台北市中正區思源街18號 臺大水源校區思源樓3樓