以導電金屬氧化物為中介層改善表面電漿共振特性之方法
  ‧ 專利名稱 以導電金屬氧化物為中介層改善表面電漿共振特性之方法
  ‧ 專利證書號 I364533
US 7,671,995
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2007/11/25)
美國 (2008/03/14)
  ‧ 發明人 林啟萬, 邱南福, 馮偉意, 張家禎, 何國川, 李世光, 吳光鐘,
 
技術摘要:
表面電漿子共振(Surface Plasmon Resonance,SPR)的分子檢測技術,具有良好的準確度,已在生物分子的感測元件上成為非常重要之檢定方式。以往在實作時為了能夠使45nm的金膜(Au)附著在玻璃基材或矽基材上而於其上鍍上數奈米厚的高活性金屬如鉻或鈦(Cr or Ti)以增進基材與金分子間的附著力,來達到實作的目的,然而Cr與Ti因其吸收特性通常會使SPR靈敏度變差,研究實驗結果發現經特殊處理氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO)奈米薄膜取代傳統使用的鉻附著層,可達到改善SPR共振角特性(半高寬與角度位置),並獲得增強靈敏度3-15倍的優點,有利於未來生化檢測與氣體感測之應用。

Surface plasmon resonance (SPR) sensing technique which provides high specificity and accuracy has been an important method for molecular sensing technology. In the past, in order to affix 45 nm gold film onto glass or silicon substrate, several nanometers of chromium (Cr) or titanium (Ti) has been used as adhesive layer for the attachment of Au film. However, the existence of Cr or Ti thin film deteriorates the performance of SPR sensor due to their characteristic optical absorption. Our experimental results have confirmed the uses of conducting metal oxide, specifically, ITO and Zinc Oxide (ZnO) can be used to replace Cr or Ti for better performance in terms of SPR resonant properties (resonant angle and HMBW) and sensitivity enhancement for 3 to 15 times than traditional ones. It would contribute significantly to the SPR applications in both biosensors and gas sensors.



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