Method for manufacuring low-k films by using basic solution
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 以鹼式法製造低介電係數層之方法
  ‧ 專利證書號 I451495
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2010/12/13)
美國 (2011/03/04)
 
  ‧ 發明人/PI 萬本儒,呂信彥,鄧志霖,龔建豪,游竣偉,柳佑樵,余俊賢,
  ‧ 單位 化學工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
在此揭露一種以鹼式法形成一低介電係數層之方法。此方法包括下步驟:(a)混合四烷氧矽烷、乙醇、氫氧化四烷銨及水以形成第一混合物;(b)加熱第一混合物以形成含有複數個非結晶含矽顆粒之第二混合物,加熱時間少於約36小時,且非結晶含矽顆粒之粒徑小於約10nm;(c)於第二混合物中加入一界面活性劑以形成一膠體溶液,膠體溶液中之界面活性劑的重量百分濃度為約1%至約20%;(d)將膠體溶液塗佈在基材上,並在基材上形成一膠體層;以及(e)加熱膠體層至一定條件,以將膠體層轉變為低介電係數層。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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