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以銦鎵鍺系氮氧化物為基礎之新型相變化材料

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	相變化材料、記憶單元及利用電學儲存／讀取資料之方法
‧ 專利證書號	I375324 7884345B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2008/01/18) 美國 (2008/07/30)

‧ 發明人/PI	彭隆瀚 ,王菘豊 ,謝孟桂 ,陳建宇 ,
‧ 單位	光電工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

一種相變化材料與記憶單元，該材料僅具有單一結晶態且主要成分係選自銦、鎵及/或鍺之氧化物或氮氧化物。該材料可用於製作記憶單元，包含基板；形成於該基板表面之第一接觸電極；配置於該基板表面之介電層，該介電層具有一開孔供相變化材料層形成於該開孔中；以及配置於該介電層表面之第二接觸電極。由於該相變化材料僅具有單一結晶態，且高、低阻態區別度大，所形成之記憶單元，可以在低臨界功率之條件下，利用脈衝電壓快速地達成相變化特性，且不易發生重置不完全的情況，同時具有可與矽半導體製程技術整合之優點。
A phase-change material and a memory unit using the phase-change material are provided. The phase-change material is in a single crystalline state and includes a compound of a metal oxide or nitroxide, wherein the metal is at least one selected from a group consisting of indium, gallium and germanium. The memory unit includes a substrate; at least a first contact electrode formed on the substrate; a dielectric layer disposed on the substrate and formed with an opening for a layer of the phase-change material to be formed therein; and at least a second contact electrode disposed on the dielectric layer. As the phase-change material is in a single crystalline state and of a great discrepancy between high and low resistance states, the memory unit using the phase-changed material can achieve a phase-change characteristic rapidly by pulse voltage and avert any incomplete reset while with a low critical power.

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