金氧半導體元件中矽半導體與閘極絕緣層介面品質檢測系統與方法
  ‧ 專利名稱 金氧半導體元件中矽半導體與閘極絕緣層介面品質檢測系統與方法
  ‧ 專利證書號 169692
US 6,812,729 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2001/12/21)
美國 (2002/06/19)
  ‧ 發明人 陳敏璋, 林清富, 劉致為 , 李敏鴻 , 張書通 ,
 
技術摘要:
一種金氧半導體元件中矽半導體與閘極絕緣層介面品質的檢測方法,其係施加一電流經由閘極至一金氧半導體元件,並偵測該金氧半導體元件承受該電流後,所產生至少一對應於矽能帶能量的紅外線輻射之電激發光訊號,然後輸出該電激發光訊號的強度與時間之關係,以藉由分析矽半導體中的少數載子的生命期來判別金氧半導體元件中矽半導體與閘極絕緣層介面的品質。本發明亦揭露了實現此方法的檢測系統。
A method for characterizing the quality of the interface between a silicon and a gate insulator in a MOS device includes the steps of: applying at least one current to the MOS device through the gate; detecting at least one electroluminescent signal corresponding to the silicon bandgap energy after the current flows through the MOS device; and outputting the electroluminescent waveform in the time domain. The quality of the interface between a silicon and a gate insulator in the MOS device is determined by analyzing the minority carrier lifetime in silicon. The invention also discloses a characterization system for implementing the method.




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